电子材料有哪些-

网上有关“电子材料有哪些?”话题很是火热，小编也是针对电子材料有哪些?寻找了一些与之相关的一些信息进行分析，如果能碰巧解决你现在面临的问题，希望能够帮助到您。

一般电子料包括哪些

电子料包括电容、电阻、二三极管、断电器、变压器、电感、晶振、保险管、跳线、接插件、连接器、集成电路、互种模组等等电子元器件；电子料都搞不清楚想做电子产品采购很难的

电子元器件有哪些分类

电子元器件行业是十分广泛的行业，包括的东西相当的复杂。现在让我们来简单的认识下。

产品有多样的，例如：

⑴继电器

| 汽车继电器 | 信号继电器

| 固态继电器 | 中间继电器

| 电磁类继电器 | 干簧式继电器

| 溼簧式继电器 | 热继电器

| 步进继电器 | 大功率继电器

| 磁保持继电器 | 极化继电器

| 温度继电器 | 真空继电器

| 时间继电器 | 混合电子继电器

| 延时继电器 | 其他继电器

⑵二极管

| 开关二极管 | 普通二极管

| 稳压二极管 | 肖特基二极管

| 双向触发二极管 | 快恢复二极管

| 光电二极管 | 阻尼二极管

| 磁敏二极管 | 整流二极管

| 发光二极管 | 激光二极管

| 变容二极管 | 检波二极管

| 其他二极管

⑶三极管

| 带阻三极管 | 磁敏三极管

| 开关晶体管 | 闸流晶体管

| 中高频放大三极管 | 低噪声放大三极管

| 低频、高频、微波功率晶体管 | 开关三极管

| 光敏三极管 | 微波三极管

| 高反压三极管 | 达林顿三极管

| 光敏晶体管 | 低频放大三极管

| 功率开关晶体管 | 其他三极管

⑷电子专用材料

| 电容器专用极板材料 | 导电材料

| 电极材料 | 光学材料 | 测温材料

| 半导体材料 | 屏蔽材料

| 真空电子材料 | 覆铜板材料

| 压电晶体材料 | 电工陶瓷材料

| 光电子功能材料 | 强电、弱电用接点材料

| 激光工质 | 电子元器件专用薄膜材料

| 电子玻璃 | 类金刚石膜

| 膨胀合金与热双金属片 | 电热材料与电热元件

| 其它电子专用材料

⑸电容器

| 云母电容器 | 铝电解电容器

| 真空电容器 | 漆电容器

| 复合介质电容器 | 玻璃釉电容器

| 有机薄膜电容器 | 导电塑料电位器

| 红外热敏电阻 | 气敏电阻器

| 陶瓷电容器 | 钽电容器

| 纸介电容器 | 电子电位器

| 磁敏电阻/电位器 | 溼敏电阻器

| 光敏电阻/电位器 | 固定电阻器

| 可变电阻器 | 排电阻器

| 热敏电阻器 | 熔断电阻器

| 其它电阻/电位器

⑹连接器

| 端子 | 线束 | 卡座

| IC插座 | 光纤连接器

| 接线柱 | 电缆连接器

| 印刷板连接器 | 电脑连接器

| 手机连接器 | 端子台、接线座

| 其他连接器

⑺电位器

| 合成碳膜电位器 | 直滑式电位器

| 贴片式电位器 | 金属膜电位器

| 实心电位器 | 单圈、多圈电位器

| 单连、双连电位器 | 带开关电位器

| 线绕电位器 | 其他电位器

⑻保险元器件

| 温度开关 | 温度保险丝

| 电流保险丝 | 保险丝座

| 自恢复熔断器 | 其他保险元器件

⑼传感器

| 电磁传感器 | 敏感元件

| 光电传感器 | 光纤传感器

| 气体传感器 | 溼敏传感器

| 位移传感器 | 视觉、图像传感器

| 其他传感器

⑽电感器

| 磁珠 | 电流互感器 | 电压互感器

| 电感线圈 | 固定电感器 | 可调电感器

| 线饶电感器 | 非线饶电感器

| 阻流电感器（阻流圈、扼流圈）

| 其他电感器

⑾电声器件

| 扬声器 | 传声器 | 拾音器

| 送话器 | 受话器 | 蜂鸣器

⑿电声配件

| 盆架 | 电声喇叭 | 防尘盖

| 音膜、振膜 | 其他电声配件

| T铁 | 磁钢 | 弹波

| 鼓纸 | 压边 | 电声网罩

⒀频率元件

| 分频器 | 振荡器 | 滤波器

| 谐振器 | 调频器 | 鉴频器

| 其他频率元件

⒁开关元件

| 可控硅......>>

LED电子材料有哪些？

铝塑板，LED灯珠，电阻 1.5K的， 还有控制器

手机中有哪些电子物料

天线，CPU芯片，内存芯片，贴片电阻，电容，时钟晶振，震动电机，电感器件，二极管，三极管，喇叭，麦克，开关按键，等等。电子材料又叫电子元器件，电子元器件是元件和器件的总称.

一、元件：工厂在加工产品时没有改变分子成分产品可称为元件，不需要能 源的器件。

它包括：电阻、电容、电感器。（又可称为被动元件Passive ponents）

（1）电路类器件：二极管，电阻器等等

（2）连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)

二、器件：工厂在生产加工时改变了分子结构的器件称为器件

器件分为：

1.主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能 (2).还需要外界电源。

2.分立器件，分为（1)双极性晶体三极管（2）场效应晶体管（3）可控硅（4）半导体电阻电容

3.模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如集成运算放大器、比较器、对数和指数放大器、模拟乘（除）法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试，模拟而得到，与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在EDA软件的控制下自动的综合产生。

4.数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成（SSI）电路、中规模集成MSI电路、大规模集成（LSI）电路、超大规模集成VLSI电路和特大规模集成（ULSI）电路。小规模集成电路包含的门电路在10个以内，或元器件数不超过100个；中规模集成电路包含的门电路在10～100个之间，或元器件数在100～1000个之间；大规模集成电路包含的门电路在100个以上，或元器件数在10～10个之间；超大规模集成电路包含的门电路在1万个以上，或元器件数在1揣～10之间；特大规模集成电路的元器件数在10～10之间。它包括：基本逻辑门、触发器、寄存器、译码器、驱动器、计数器、整形电路、可编程逻辑器件、微处理器、单片机、DSP等。

学电子材料元器件方向的需要哪些专业知识，又需要哪些电脑技能？

一.教学内容

◇教学内容体系结构、组织方式与目的

◇实践性教学的设计思想

◇教学内容体系结构、组织方式与目的

结合近年来国内外电子材料及相关领域的高速发展、电子科学与技术（固体电子）专业的固有特点和本课程的特色，并考虑到我校该专业在国内的重要影响，在进行课程体系结构设计、教学内容组织方式与目的时，主要把握以下三个原则：

① 介电－磁性－半导体三者的结合作为未来该专业的发展方向和培养特色；

② 将材料－器件－系统三者的结合作为拓宽学生知识结构；

③ 将材料－器件－集成－封装－设计一条龙作为社会需求牵引。

同时在教材建设方面：

采用循环滚动的形式，三年一次审查和翻新，选购一批、编写一批、规划一批的建设思路。

本课程的教学内容分为九章：电子材料概论、导电材料、电阻材料、超导材料、半导体材料、电介质材料、光电子材料、磁性材料、敏感电子材料。系统地介绍了电子信息产业中所涉及的主要电子材料的制造主法、结构特征、电磁性能、元器件设计和应用开发等所需的材料基础知识。根据本专业的特点与要求重点讲述第六章和第八章，第二、三章为自学，其它章节作一般讲解。

◇实践性教学的设计思想

以知识、能力、素质的全面培养要求，达到提高学生的"独立思维能力"，"独立学习能力"，"分析问题和解决问题的能力"和增强学生的"专业意识"、"创新意识"为目标的实践性教学设计思想。

在既定的实践教学设计思想指导下，精心指定教学内容。实验教学内容的特色主要集中于：

（1）理论与实践相结合，实验内容新、应用性强。实验教学特别强调理论教学与实验环节的结合。4学时的理论教学内容重点从电子材料的制备工艺、微观结构与性能评价及元器件制作三者的联系来分析目前电子材料制备工艺的常用方法及所涉及的关键步骤，并比较了这些方法的适应性。教学内容源自科研项目，内容新、学术性强。学生所进行的实验项目皆来源于科研项目的研究内容，实验内容新、工艺手段先进，从而保证了实验内容的学术性、技术先进性，增强学生从事科学研究的意识。

（2）从材料工艺、测试分析与性能表征到元器件制作的全过程教学。本课程的实验环节教学内容从电子材料的制备工艺、微观结构与性能的表征及元器件结构设计与试制三方面来进行。通过工艺实验使学生熟悉电子材料的制备方法、流程与关键工序，理解并掌握关键工艺参数对电子材料结构与性能的影响，充分认识电子材料的制备技术与工艺控制的重要性；通过对学生在工艺环节制得的样品微结构与电磁特性分析，使学生掌握电子材料理化特性的常用评价手段及介电、磁电参数的表征技术，培养学生从调整材料制备工艺、控制微结构与相组成及优化电子材料的电磁特性三方面结合开展电子材料研究的意识；按照不同材料样品的理化性能所表现的特定功能，试制成不同功能的元器件，借此培养学生对电子材料功能特性的应用能力，使学生获得一定元器件的设计、开发能力。

本课程的实验教学环节强调学生科研开发素质、生产实践能力的培养与提高，实验教学方法的特色主要表现在如下两方面：

（1）实验教学环节、实践环节结合校内科研开发与企业工业化生产。对电子材料与器件制造的认识，开阔产业视野，使学生充分了解本学科在电子信息产业中的地位，除了利用校内科研平台来开展实验教学外，实验教学还结合了本学科专业科研成果转化的合作企业进行深入的实践性教学，从而有效地调动学生的实验积极性，激发学生的实验兴趣。

（2）采用分组实验与集中讨论相......>>

功能材料与电子材料的定义有什么异同

材料科学偏重于研究，新的材料什么的 材料工程偏重于应用，就是一些材料该怎么用

电子辅料包括哪些?

包括很多，光电类，屏蔽类，缓冲类，进口胶纸类绝缘类等等

可以问下专业人士。做模切的都比较懂这搐。

深圳兴鸿飞橡塑制品有限公司，做没模切的，问下那边就知道了、

0-7-5-5-2-7-1-4-6-6-6-1 肖生

请问电子材料，尤其是纳米电子材料的大的外企有哪些？（比如说村田公司这样的企业） 30分

ca埂ot microelectrical

卡博特微电子

美国总公司 属于Cabot集团

但是纳米微电子这块总部在新加坡 内得好像也有分支

3m电子材料是什么，求知识，谢谢大家帮助，

美国3M公司的电子电工产品，例如绝缘胶带，电子线路等。

电子料有那些

贴片电容

金膜电容

瓷片电容

涤纶电容

电解电容

独石电容

安规电容

钽电容

抗冲击电容

贴片电阻

金膜电阻

碳膜电阻

精密电阻

水泥电阻

压敏电阻

热敏电阻

可调电阻

排阻

熔断丝

微动开关

拨动开关

按钮开关

辅助开关

辅助报警开关

原装导线

加工软导线

有端子软导线

带线插头

带线插针

排线

线圈

电源模块

电机

变压器

磁珠电感

磁芯电感

工字型电感

插针

插座

接线排

接线端子

保险座

电池

电池扣

导电片

其它贴片料

整流二极管

稳压二极管

发光二极管

瞬变二极管

开关二极管

氖灯

三极管

可控硅

晶振

整流桥

贴片芯片

CPU

电力芯片

计量芯片

时钟芯片

光耦

单片机

稳压IC

与非门

集成块

PCB

显示屏

共阴数码管

蜂鸣器

继电器

互感器

比较器

这是我见过的一些电子料

你自己再归类一下

自己制作一个简单的电感高频加热线圈

可调电容在实际的电路应用中根据其封装方式的不同分为贴片可调电容（SMD），插件可调电容（DIP）；根据制造材料的不同又可分为陶瓷可调电容，PVC可调电容，空气可调电容等。通常在实际的电路应用上微调电容与可调电容是有区别的，表现在： 微调电容：让两极板的距离、相对位置或面积可调，便构成微调电容.它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。

可调电容一般有陶瓷介质和薄膜介质，陶瓷介质的高频特性好，可以工作在几百MHz甚至以上，而薄膜的高频特性要差一些，但一两MHz还是可以用的。陶瓷可调电容就是介质材料为陶瓷的其容值随动片的转动而连续改变的电容器。 陶瓷可调电容的高频特性好，可以工作在几百MHz甚至以上，但是陶瓷的生产加工要困难一些，所以价格高，薄膜的价格要低一些。

陶瓷可调电容一般调整到合适的容值后，就不需要经常去调节了，这时它起到的作用和普通电容器是一样的，如果调试用力不当，或调节次数过于频繁，都可能会损坏电容器。

陶瓷可调电容的容值

可调电容的电容量都标有最大电容量和最小电容量，一般有2/7P、3/10P、5/15P等规格，变化范围为3倍多一点。

任何制造出来的电容器都不是理想的电容器，都存在电介质损耗，电介质损耗小的电容器适用于高频电路，电介质损耗大的只能工作于低频，这就叫电容器的频率特性。

电容器频率特性是指电容器工作在交流电路(尤其在高频电路中)时,其电容量等参数将随着频率的变化而变化的特性。电容器在高频电路工作时,构成电容器材料的介电常数将随着工作电路频率的升高而减小。此时的电损耗也将增加。不同种类的电容器介电参数不一样，它们在很多情况下都不可互相替代。

可调电容器的可调电容器的分类与区别

感应加热简介

电磁感应加热，或简称感应加热，是加热导体材料比如金属材料的一种方法。它主要用于金属热加工、热处理、焊接和熔化。

顾名思义，感应加热是利用电磁感应的方法使被加热的材料的内部产生电流，依靠这些涡流的能量达到加热目的。感应加热系统的基本组成包括感应线圈，交流电源和工件。根据加热对象不同，可以把线圈制作成不同的形状。线圈和电源相连，电源为线圈提供交变电流，流过线圈的交变电流产生一个通过工件的交变磁场，该磁场使工件产生涡流来加热。

感应加热原理

感应加热表面淬火是利用电磁感应原理，在工件表面层产生密度很高的感应电流，迅速加热至奥氏体状态，随后快速冷却得到马氏体组织的淬火方法，当感应圈中通过一定频率的交流电时，在其内外将产生与电流变化频率相同的交变磁场。金属工件放入感应圈内，在磁场作用下，工件内就会产生与感应圈频率相同而方向相反的感应电流。由于感应电流沿工件表面形成封闭回路，通常称为涡流。此涡流将电能变成热能，将工件的表面迅速加热。涡流主要分布于工件表面，工件内部几乎没有电流通过，这种现象称为表面效应或集肤效应。感应加热就是利用集肤效应，依靠电流热效应把工件表面迅速加热到淬火温度的。感应圈用紫铜管制做，内通冷却水。当工件表面在感应圈内加热到一定温度时，立即喷水冷却，使表面层获得马氏体组织。

感应电动势的瞬时值为：

式中：e——瞬时电势，V；Φ——零件上感应电流回路所包围面积的总磁通，Wb，其数值随感应器中的电流强度和零件材料的磁导率的增加而增大，并与零件和感应器之问的间隙有关。

为磁通变化率，其绝对值等于感应电势。电流频率越高，磁通变化率越大，使感应电势P相应也就越大。式中的负号表示感应电势的方向与的变化方向相反。

零件中感应出来的涡流的方向，在每一瞬时和感应器中的电流方向相反，涡流强度取决于感应电势及零件内涡流回路的电抗，可表示为：

式中，I——涡流电流强度，A；Z——自感电抗，Ω；R——零件电阻，Ω；X——阻抗，Ω。

由于Z值很小，所以I值很大。

零件加热的热量为：

式中Q——热能，J；t——加热时间，s。

对铁磁材料（如钢铁），涡流加热产生的热效应可使零件温度迅速提高。钢铁零件是硬磁材料，它具有很大的剩磁，在交变磁场中，零件的磁极方向随感应器磁场方向的改变而改变。在交变磁场的作用下，磁分子因磁场方向的迅速改变将发生激烈的摩擦发热，因而也对零件加热起一定作用，这就是磁滞热效应。这部分热量比涡流加热的热效应小得多。钢铁零件磁滞热效应只有在磁性转变点A2（768℃）以下存在，在A2以上，钢铁零件失去磁性，因此，对钢铁零件而言，在A2点以下，加热速度比在A2点以上时快。

感应加热具体应用

感应加热设备

感应加热设备是产生特定频率感应电流，进行感应加热及表面淬火处理的设备。

感应加热表面淬火

将工件放在用空心铜管绕成的感应器内，通入中频或高频交流电后，在工件表面形成同频率的的感应电流，将零件表面迅速加热（几秒钟内即可升温800～1000度，心部仍接近室温）后立即喷水冷却（或浸油淬火），使工件表面层淬硬。

与普通加热淬火比较感应加热表面淬火具有以下优点：

1、加热速度极快，可扩大A体转变温度范围，缩短转变时间。

2、淬火后工件表层可得到极细的隐晶马氏体，硬度稍高（2～3HRC）。脆性较低及较高疲劳强度。

3、经该工艺处理的工件不易氧化脱碳，甚至有些工件处理后可直接装配使用。

4、淬硬层深，易于控制操作，易于实现机械化，自动化。

感应加热（高频电炉）制作教程

成本估算：

紫铜管紫铜带：210元

EE85加厚磁芯2个：60元

高频谐振电容3个：135元

胶木板：60元

水泵及PU管：52元

PLL板：30元

GDT板：20元

电源板：50元

MOSFET：20元

2KW调压器：280元

散热板：80元

共计：997元

总体架构：

串联谐振2.5KW 锁相环追频ZVS，MOSFET全桥逆变；

磁芯变压器两档阻抗变换，水冷散热，市电自耦调压调功，母线过流保护。

先预览一下效果，如下图：

加热金封管3DD15

加热304不锈钢管

加热小金属球

加热铁质垫圈

在开始制作之前，有必要明确一些基础性原理及概念，这样才不致于一头雾水。

1、加热机制（扫盲用，高手跳过）

1.1涡流，只要是金属物体处于交变磁场中，都会产生涡流，强大的高密度涡流能迅速使工件升温。这个机制在所有电阻率不为无穷大的导体中均存在。

1.2感应环流，工件相当于一个短路的1匝线圈，与感应线圈构成一个空心变压器，由于电流比等于匝比的反比，工件上的电流是感应线圈中电流的N（匝数）倍，强大的感应短路电流使工件迅速升温。这个机制在任何导体中均存在，恒定磁通密度情况下，工件与磁场矢量正交的面积越大，工件上感生的电流越大，效率越高。由此可看出，大磁通切割面积的工件比小面积的工件更容易获得高温。

1.3磁畴摩擦（在铁磁体内存在着无数个线度约为10-4m的原本已经磁化了的小区域，这些小区域叫磁畴），铁磁性物质的磁畴，在交变磁场的磁化与逆磁环作用下，剧烈摩擦，产生高温。这个机制在铁磁性物质中占主导。

由此可看出，不同材料的工件，因为加热的机制不同，造成的加热效果也不一样。其中铁磁物质三中机制都占，加热效果最好。铁磁质加热到居里点以上时，转为顺磁性，磁畴机制减退甚至消失。这时只能靠剩余两个机制继续加热。

当工件越过居里点后，磁感应现象减弱，线圈等效阻抗大幅下降，致使谐振回路电流增大。越过居里点后，线圈电感量也跟着下降。LC回路的固有谐振频率会发生变化。致使固定激励方式的加热器失谐而造成设备损坏或效率大减。

2、为什么要采用谐振？应采用何种谐振

2.1先回答第一个问题。我曾经以为只要往感应线圈中通入足够强的电流，就成一台感应加热设备了。也对此做了一个实验，见下图。

实验中确实有加热效果，但是远远没有达到电源的输出功率应有的效果。这是为什么呢，我们来分析一下，显然，对于固定的工件，加热效果与逆变器实际输出功率成正比。对于感应线圈，基本呈现纯感性，也就是其间的电流变化永远落后于两端电压的变化，也就是说电压达到峰值的时候，电流还未达到峰值，功率因数很低。我们知道，功率等于电压波形与电流波形的重叠面积，而在电感中，电流与电压波形是错开一个角度的，这时的重叠面积很小，即便其中通过了巨大的电流，也是做无用功。这是如果单纯的计算P=UI，得到的只是无功功率。

而对于电容，正好相反，其间的电流永远超前于电压变化。如果将电容与电感构成串联或并联谐振，一个超前，一个滞后，谐振时正好抵消掉。因此电容在这里也叫功率补偿电容。这时从激励源来看，相当于向一个纯阻性负载供电，电流波形与电压波形完全重合，输出最大的有功功率。这就是为什么要采取串（并）补偿电容构成谐振的主要原因。

2.2第二个问题，LC谐振有串联谐振和并联谐振，该采用什么结构呢。

说得直白一点，并联谐振回路，谐振电压等于激励源电压，而槽路（TANK）中的电流等于激励电流的Q倍。串联谐振回路的槽路电流等于激励源电流，而L，C两端的电压等于激励源电压的Q倍，各有千秋。

从电路结构来看：

对于恒压源激励（半桥，全桥），应该采用串联谐振回路，因为供电电压恒定，电流越大，输出功率也就越大，对于串联谐振电路，在谐振点时整个回路阻抗最小，谐振电流也达到最大值，输出最大功率。串联谐振时，空载的回路Q值最高，L，C两端电压较高，槽路电流白白浪费在回路电阻上，发热巨大。

对于恒流源激励（如单管电路），应采用并联谐振，自由谐振时LC端电压很高，因此能获得很大功率。并联谐振有个很重要的优点，就是空载时回路电流最小，发热功率也很小。值得一提的是，从实验效果来看，同样的谐振电容和加热线圈，同样的驱动功率，并联谐振适合加热体积较大的工件，串联谐振适合加热体积小的工件。

3、制作过程

明白了以上原理后，可以着手打造我们的感应加热设备了。我们制作的这个设备主要由调压整流电源、锁相环、死区时间发生器、GDT电路、MOS桥、阻抗变换变压器、LC槽路以及散热系统几大部分组成，见下图。

我们再来对构成系统的原理图进行一些分析，如下：

槽路部分：

从上图可以看出，C1、C2、C3、L1以及T1的次级（左侧）共同构成了一个串联谐振回路，因为变压器次级存在漏感，回路的走线也存在分布电感，所以实际谐振频率要比单纯用C1-C3容量与L1电感量计算的谐振频率略低。图中L1实际上为1uH，我将漏感分布电感等加在里面所以为1.3uH，如图参数谐振频率为56.5KHz。

从逆变桥输出的高频方波激励信号从J2-1输入，通过隔直电容C4及单刀双掷开关S1后进入T1的初级，然后流经1:100电流互感器后从J2-2回流进逆变桥。在这里，C4单纯作为隔直电容，不参与谐振，因此应选择容量足够大的无感无极性电容，这里选用CDE无感吸收电容1.7uF 400V五只并联以降低发热。

S1的作用为阻抗变换比切换，当开关打到上面触点时，变压器的匝比为35:0.75，折合阻抗变比为2178:1；当开关打到下面触点时，变压器匝比为24:0.75，折合阻抗变比为1024:1。为何要设置这个阻抗变比切换，主要基于以下原因。（1）铁磁性工件的尺寸决定了整个串联谐振回路的等效电阻，尺寸越大，等效电阻越大。（2）回路空载和带载时等效电阻差别巨大，如果空载时变比过低，将造成逆变桥瞬间烧毁。

T2是T1初级工作电流的取样互感器，因为匝比为1:100，且负载电阻为100Ω，所以当电阻上电压为1V时对应T1初级电流为1A。该互感器应有足够小的漏感且易于制作，宜采用铁氧体磁罐制作，如无磁罐也可用磁环代替。在调试电路时，可通过示波器检测J3两端电压的波形形状和幅度而了解电路的工作状态，频率，电流等参数，亦可作为过流保护的取样点。

J1端子输出谐振电容两端的电压信号，当电路谐振时，电容电压与T1次级电压存在90°相位差，将这个信号送入后续的PLL锁相环，就可以自动调节时激励频率始终等于谐振频率。且相位恒定。（后文详述）

L1，T1线圈均采用紫铜管制作，数据见上图，工作中，线圈发热严重，必须加入水冷措施以保证长时间安全工作。为保证良好的传输特性以及防止磁饱和，T1采用两个EE85磁芯叠合使用，在绕制线圈时需先用木板做一个比磁芯舌截面稍微大点的模子，在上面绕制好后脱模。如下图：

PLL锁相环部分：

上图为PLL部分，是整个电路的核心。关于CD4046芯片的结构及工作原理等，我不在这里详述，请自行查阅书籍或网络。

以U1五端单片开关电源芯片LM2576-adj为核心的斩波稳压开关电路为整个PLL板提供稳定的，功率强劲的电源。图中参数可以提供15V2A的稳定电压。因为采用15V的VDD电源，芯片只能采用CD40xx系列的CMOS器件，74系列的不能在此电压下工作。

CD4046锁相环芯片的内部VCO振荡信号从4脚输出，一方面送到U2为核心的死区时间发生器，用以驱动后级电路。另一方面回馈到CD4046的鉴相器输入B端口3脚。片内VCO的频率范围由R16、R16、W1、C13的值共同决定，如图参数时，随着VCO控制电压0-15V变化，振荡频率在20KHz-80KHz之间变化。

从谐振槽路Vcap接口J1送进来的电压信号从J4接口输入PLL板，经过R14，D2，D3构成的钳位电路后，送入CD4046的鉴相器输入A端口14脚。这里要注意的是，Vcap电压的相位要倒相输入，才能形成负反馈。D2，D3宜采用低结电容的检波管或开关管如1N4148、1N60之类。

C7、C12为CD4046的电源退耦，旁路掉电源中的高频分量，使其稳定工作。

现在说说工作流程，我们选用的是CD4046内的鉴相器1（XOR异或门）。对于鉴相器1，当两个输人端信号Ui、Uo的电平状态相异时（即一个高电平，一个为低电平），输出端信号UΨ为高电平；反之，Ui、Uo电平状态相同时（即两个均为高，或均为低电平），UΨ输出为低电平。当Ui、Uo的相位差Δφ在0°-180°范围内变化时，UΨ的脉冲宽度m亦随之改变，即占空比亦在改变。从比较器Ⅰ的输入和输出信号的波形（如图4所示）可知，其输出信号的频率等于输入信号频率的两倍，并且与两个输入信号之间的中心频率保持90°相移。从图中还可知，fout不一定是对称波形。对相位比较器Ⅰ，它要求Ui、Uo的占空比均为50％（即方波），这样才能使锁定范围为最大。如下图。

由上图可看出，当14脚与3脚之间的相位差发生变化时，2脚输出的脉宽也跟着变化，2脚的PWM信号经过U4为核心的有源低通滤波器后得到一个较为平滑的直流电平，将这个直流电平做为VCO的控制电压，就能形成负反馈，将VCO的输出信号与14脚的输入信号锁定为相同频率，固定相位差。

关于死区发生器，本电路中，以U2 CD4001四2输入端与非门和外围R8，R8，C10，C11共同组成，利用了RC充放电的延迟时间，将实时信号与延迟后的信号做与运算，得到一个合适的死区。死区时间大小由R8，R8，C10，C11共同决定。如图参数，为1.6uS左右。在实际设计安装的时候，C10或C11应使用68pF的瓷片电容与5-45pF的可调电容并联，以方便调整两组驱动波形的死区对称性。

下图清晰地展示了死区的效果。

关于图腾输出，从死区时间发生器输出的电平信号，仅有微弱的驱动能力，我们必须将其输出功率放大到一定程度才能有效地推动后续的GDT（门极驱动变压器）部分，Q1-Q8构成了双极性射极跟随器，俗称图腾柱，将较高的输入阻抗变换为极低的输出阻抗，适合驱动功率负载。R10.R11为上拉电阻，增强CD4001输出的“1”电平的强度。有人会问设计两级图腾是否多余，我开始也这么认为，试验时单用一级TIP41，TIP42为图腾输出，测试后发现高电平平顶斜降带载后比较严重，分析为此型号晶体管的hFE过低引起，增加前级8050/8550推动后，平顶斜降消失。

GDT门极驱动电路：

上图为MOSFET的门极驱动电路，采用GDT驱动的好处就是即便驱动级出问题，也不可能出现共态导通激励电平。

留适当的死区时间，这个电路死区大到1.6uS。而且MOSFET开关迅速，没有IGBT的拖尾，很难炸管。而且MOS的米勒效应小很多。

电路处于ZVS状态，管子2KW下工作基本不发热，热击穿不复存在。

从PLL板图腾柱输出的两路倒相驱动信号，从GDT板的J1，J4接口输入，经过C1-C4隔直后送入脉冲隔离变压器T1-T4。R5，R6的存在，降低了隔直电容与变压器初级的振荡Q值，起到减少过冲和振铃的作用。从脉冲变压器输出的±15V的浮地脉冲，通过R1-R4限流缓冲（延长对Cgs的充电时间，减缓开通斜率）后，齐纳二极管ZD1-ZD8对脉冲进行双向钳位，最后经由J2，J3，J5，J6端子输出到四个MOS管的GS极。这里因为关断期间为-15V电压，即便有少量的电平抖动也不会使MOS管异常开通，造成共态导通。注意，J2，J3用以驱动一个对角的MOS管，J5，J6用于驱动另一个对角的mos管。

为了有效利用之前PLL板图腾输出的功率以及减小驱动板高度，这里采用4只脉冲变压器分别对4支管子进行驱动。脉冲变压器T1-T4均采用EE19磁芯，不开气隙，初级次级均用0.33mm漆包线绕制30T，为提高绕组间耐压起见，并未采用双线并绕。而是先绕初级，用耐高温胶带3层绝缘后再绕次级，采用密绕方式，注意图中+，-号表示的同名端。C1-C4均采用CBB无极性电容。其余按电路参数。

电源部分：

上图为母线电源部分，市电电压经过自耦调压器后从J2输入，经过B1全波整流后送入C1-C4进行滤波。为了在MOS桥开关期间，保持母线电压恒定（恒压源），故没有加入滤波电感。C1，C2为MKP电容，主要作用为全桥钳位过程期间的逆向突波吸收。整流滤波后的脉动直流从J1输出。

全桥部分：

上图为MOSFET桥电路，结构比较简单，不再赘述。强调一下，各个MOS管的GS极到GDT板之间的引线，尽可能一样长，但应小于10cm。必须采用双绞线。MOS管的选取应遵循以下要求：开关时间小于100nS、耐压高于500V、内部自带阻尼二极管、电流大于20A、耗散功率大于150W。

4、散热系统

槽路部分的阻抗变换变压器次级以及感应线圈部分，在满功率输出时，流经的电流达到500A之巨，如果没有强有力的冷却措施，将在短时间内过热烧毁。

该系统宜采用水冷措施，利用铜管本身作为水流通路。泵采用隔膜泵，一是能自吸，二是压力高。电路采用的是国产普兰迪隔膜泵，输出压力达到0.6MPa，轻松在3mm内径的铜管中实现大流量水冷。

5、组装

按下图组装，注意GDT部分，输出端口的1脚接G，2脚接S，双绞线长度小于10cm。

6、调试

该电路的调试比较简单，主要分以下几个步骤进行。

1. PLL板整体功能检测。电路组装好后，先断开高压电源，将PLL板JP1跳线的2，3脚短路，使VCO输出固定频率的方波。然后用示波器分别检测四个MOS管的GS电压，看是否满足相位和幅度要求。对角的波形同相，同一臂的波形反相。幅度为±15V。如果此步骤无问题，进行下一步。如果波形相位异常，检测双绞线连接是否有误。

2. 死区时间对称性调整。用示波器监测同一臂的两个MOS的GS电压，调节PLL板C10或C11并联的可调电容，使两个MOS的GS电压的高电平宽度基本一致即可。死区时间差异过大的话，容易造成在振荡的前几个周期内，就造成磁芯的累计偏磁而发生饱和炸管，隔直电容能减轻这一情况。

3. VCO中心频率调整。PLL环路中，VCO的中心频率在谐振频率附近时，能获得最大的跟踪捕捉范围，因此有必要进行一个调整。槽路部分S1切换到上方触点，PLL板JP1跳线的2，3脚短路，使VCO控制电压处于0.5VCC，W2置于中点。通过自耦调压器将高压输入调节在30VAC。用万用表交流电流档监测高压输入电流，同时用示波器监测槽路部分J3接口电压，缓慢调节PLL板的W1，使J3电压为标准正弦波。此时，电流表的示数也为最大值。这时谐振频率与VCO中心频率基本相等。

谐振时的波形如下图，电流波形标准正弦波，与驱动波形滞后200nS左右。

4. PLL锁定调整。将PLL板JP1跳线的1，2脚短路，使VCO的电压控制权转交给鉴相滤波网络。保持高压输入为30VAC，用示波器监测槽路部分J3接口电压波形形状和频率。此时用改锥在±一圈范围内调整W1，若示波器波形频率保持不变，形状仍然为良好的正弦波。则表示电路已近稳定入锁，如果无法锁定，交换槽路部分J1的接线再重复上述步骤。当看到电路锁定后，在加热线圈中放入螺丝刀杆，这时因为有较大的等效负载阻抗，波形幅度下降，但仍然保持良好的正弦波。如果此时失锁，可微调W1保持锁定。

5. 电流滞后角调整。电路锁定后，用示波器同时监测槽路部分J3接口电压以及PLL板GDT2或GDT1接口电压，缓慢调节W2，使电流波形（正弦波）稍微落后于驱动电压波形，此时全桥负载呈弱感性，并进入ZVS状态。

6. 工件加热测试，上述步骤均成功后，即可开始加热工件。先放入工件，用万用表电流档监测高压电流。缓慢提升自耦调压器输出电压，可以看到工件开始发热，应保证220VAC高压下，电流小于15A。这时功率达到2500W。当加热体积较大的工件时，因为等效阻抗大，须将槽路部分S1切换至下方触点。

至此，整个感应加热电路调试完毕。开始感受高温体验吧。

二极管骂人是什么意思

实际的电路应用中又根据其封装方式的不同分为贴片可调电容（SMD），插件可调电容（DIP）；根据制造材料的不同又可分为陶瓷可调电容，PVC可调电容，空气可调电容等。通常在实际的电路应用上微调电容与可调电容是有区别的，表现在： 微调电容：让两极板的距离、相对位置或面积可调，便构成微调电容.它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。

就是看问题不会从两个方面来看的人，也就是没有逆向思维能力，死钻牛角尖，类似于人们说的“一根筋”。

二极管具有阳极和阴极两个端子，电流只能往单一方向流动。也就是说，电流可以从阳极流向阴极，而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用，通常称之为“整流”功能。

1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩在卡尔斯鲁厄理工学院发现了晶体的整流能力。因此1906年开发出的第一代二极管——“猫须二极管”是由方铅矿等矿物晶体制成的。

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